一种含硅组件的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201810825233.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108950513B | 公开（公告）日 | 2018-12-07 |
| 申请公布号 | CN108950513B | 申请公布日 | 2018-12-07 |
| 分类号 | C23C16/02(2006.01)I; | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 纪幸辰 | 申请（专利权）人 | 深圳市硅光半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市深联知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 杨静 |
| 地址 | 518040广东省深圳市福田区沙头街道天安社区泰然九路11号海松大厦B座2201C | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出了一种含硅组件的制造方法，包括：步骤S1，选取含硅组件薄膜；步骤S2，在所述的含硅组件薄膜上沉积蚀刻掩膜；步骤S3，光刻；步骤S4，通入含氟混合气体，电离形成离子层，进行离子蚀刻，其中，所述的含氟混合气体中混有O2及N2，所述的O2及N2的物质的量占含氟混合气体总物质的量20％以上。本技术方案中的含硅组件最低可以达到0.4dB/m的损耗，含硅组件的损耗大大降低，极大的提升了含硅组件的性能并开辟了新的应用领域。 |
