IGBT器件及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202011554066.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114678410A | 公开（公告）日 | 2022-06-28 |
| 申请公布号 | CN114678410A | 申请公布日 | 2022-06-28 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张景超;戚丽娜;井亚会;林茂;俞义长;赵善麒 | 申请（专利权）人 | 江苏宏微科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 常州佰业腾飞专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 213022江苏省常州市新北区华山中路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种IGBT器件及其制作方法，所述IGBT器件的沟槽形成于漂移区上部且贯穿阱区和源区，所述沟槽内设有第一多晶硅和第二多晶硅，所述第一多晶硅连接栅极电极，所述第二多晶硅位于所述源区之下的空间内，且所述第二多晶硅与所述第一多晶硅、所述阱区、所述漂移区相隔离。本发明的IGBT器件栅极电容较小，因而开通关断速度快、损耗低。 |
