微沟槽IGBT
基本信息
| 申请号 | CN202121414363.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215731728U | 公开（公告）日 | 2022-02-01 |
| 申请公布号 | CN215731728U | 申请公布日 | 2022-02-01 |
| 分类号 | H01L29/739（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 俞义长;赵善麒 | 申请（专利权）人 | 江苏宏微科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 常州佰业腾飞专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 陈红桥 |
| 地址 | 213022江苏省常州市新北区华山中路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供一种微沟槽IGBT，所述微沟槽IGBT包括：半导体衬底和IGBT元胞，IGBT元胞包括：多个真栅极单元，相邻真栅极单元之间设有数量不等的假沟槽单元和/或假栅极单元，且假沟槽单元和/或假栅极单元对称设置；相连沟槽之间中间通过注入推结形成PW导电层覆盖到沟槽底部，且在真栅极单元两侧通过注入推结在PW导电层下部形成JFET层。本实用新型将PW导电层覆盖到沟槽底部同时在真栅极单元之两侧引入JFET，使得PW局部维持原来的深度且不改变沟道长度，可以在优化IGBT静态特性的同时通过虚拟栅极降低米勒电容，增大输入电容和米勒电容的比例，进一步增强IGBT开通关断过程可控性。 |
