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直接带隙GeSn互补型TFET

基本信息

申请号	CN201710687778.8	申请日	-
公开（公告）号	CN107611123B	公开（公告）日	2019-12-24
申请公布号	CN107611123B	申请公布日	2019-12-24
分类号	H01L27/082;H01L29/16;H01L29/161;H01L29/739	分类	基本电气元件;
发明人	张捷	申请（专利权）人	合肥矽景电子有限责任公司
代理机构	北京同辉知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	合肥矽景电子有限责任公司
地址	230000 安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园A3楼516室
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种直接带隙GeSn互补型TFET，包括：Si衬底101；Ge外延层102，设置于衬底101上表面；GeSn层103，设置于Ge外延层102上表面；P型基底104、N型基底105，设置于GeSn层103内；第一源区106、第一漏区107，设置于P型基底104内并位于两侧位置处；第二源区108、第二漏区109，设置于N型基底105内并位于两侧位置处；第一源区电极110，设置于第一源区106上表面；第一漏区电极111，设置于第一漏区107上表面；第二源区电极112，设置于第二源区108上表面；第二漏区电极113，设置于第二漏区109上表面。本发明采用晶化Ge层为Ge外延层，可有效降低Ge外延层的位错密度、表面粗糙度、界面缺陷，提升Ge外延层的质量从而得到更高质量的GeSn外延层，为高性能TFET的制备提供物质基础。