首页/ 晶澳（合肥）新能源有限公司/ 专利详情

一种晶体硅铸造用的坩埚涂层及其制备方法

基本信息

申请号 CN201110155307.5 申请日 -
公开（公告）号 CN102229502B 公开（公告）日 2013-06-05
申请公布号 CN102229502B 申请公布日 2013-06-05
分类号 C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;C30B35/00(2006.01)I;C04B41/50(2006.01)I;C04B41/85(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 黄新明;尹长浩;张华利;钟根香 申请（专利权）人 晶澳（合肥）新能源有限公司
代理机构 广州知友专利商标代理有限公司 代理人 李海波
地址 222300 江苏省连云港市东海县经济开发区西区光明路1号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种晶体硅铸造用的坩埚涂层，所述的坩埚涂层由以下重量份的原料制成：氮化硅粉末90-110分散剂50-450成膜剂1-30高温粘合剂1-25。该坩埚涂层具有高纯度、高强度、高致密度及易脱模性能；还公开了上述坩埚涂层的制备方法，(1)按计量比选取上述原料，混匀制成浆料；(2)将浆料涂布于坩埚内壁形成坩埚涂层的胚膜；(3)在反应气氛中将坩埚涂层经含有烘干、脱蜡、预烧、烧结、保温和降温的处理工序后得晶体硅铸造用坩埚涂层。该方法工艺简单，成本低，在提高涂层强度的同时不引入或极少量引入杂质元素，能够满足准单晶铸锭高温度梯度及严厉的长晶条件以及普通多晶硅铸造的要求。