一种沟槽型器件
基本信息
| 申请号 | CN202121392315.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215644503U | 公开（公告）日 | 2022-01-25 |
| 申请公布号 | CN215644503U | 申请公布日 | 2022-01-25 |
| 分类号 | H01L29/739（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 周宏伟;刘杰;潘敏智 | 申请（专利权）人 | 乐山无线电股份有限公司 |
| 代理机构 | 四川力久律师事务所 | 代理人 | 张浩 |
| 地址 | 614000四川省乐山市人民西路287号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种沟槽型器件，包含第一导电类型漂移区衬底，所述第一导电类型漂移区衬底的上设有第二导电类型体区，所述第二导电类型体区内设有介质层；栅极多晶层与发射极多晶层被介质层包裹构成等间距的三沟槽结构；所述阻挡层则位于发射极多晶层下方；在第二导电类型体区表面设有第一导电类型发射极与第二导电类型发射极；所述保护层位于第一导电类型漂移区衬底表面上方；所述金属导电层则位于保护层上方并与第一导电类型发射极、第二导电类型发射极和发射极多晶层相连。通过利用阻挡层，改变空穴流出路径，优化器件内部的载流子分布。增强了载流子注入效应，能够降低IGBT的导通损耗。 |
