一种防止银迁移的平面二极管芯片
基本信息
| 申请号 | CN202111007165.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113707628A | 公开（公告）日 | 2021-11-26 |
| 申请公布号 | CN113707628A | 申请公布日 | 2021-11-26 |
| 分类号 | H01L23/482（2006.01）I;H01L29/861（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 邱志述;谭志伟;陈鹏 | 申请（专利权）人 | 乐山无线电股份有限公司 |
| 代理机构 | 四川力久律师事务所 | 代理人 | 张浩 |
| 地址 | 614000四川省乐山市人民西路287号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及涉及一种平面二极管芯片，特别是一种防止银迁移的平面二极管芯片，包括第一半导体层、设于第一半导体层表面的第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层提供二极管结构；在第二半导体层外周的第一半导体层表面设有保护PN结的保护层；所述第二半导体层远离所述第一半导体层的表面设有第一金属层；所述第一金属层包括焊接层，所述焊接层位于所述第二半导体层中部。使得焊接层两端与半导体层两端的横向电场之间具有间隔，降低了横向电场的影响；同时焊接层表面到芯片侧面的距离加大，银电极到芯片侧面电极之间形成导电湿气薄膜的可能性降低，能够降低平面二极管芯片表面银迁移的风险。 |
