一种碳化硅功率件中钝化结构的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202210225676.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114724933A | 公开（公告）日 | 2022-07-08 |
| 申请公布号 | CN114724933A | 申请公布日 | 2022-07-08 |
| 分类号 | H01L21/04（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 周宏伟;高建宁;何欢;潘敏智 | 申请（专利权）人 | 乐山无线电股份有限公司 |
| 代理机构 | 四川力久律师事务所 | 代理人 | - |
| 地址 | 614000四川省乐山市人民西路287号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明一种碳化硅功率件中钝化结构的制备方法，主要包括以下步骤：步骤1、在芯片上淀积PA钝化层；步骤2、在PA钝化层之上涂布PI钝化层，并进行曝光、显影处理；步骤3、将所述步骤2得到的物料进行烘干处理；步骤4、将步骤3烘干后的物料进行刻蚀处理，漏出金属层。本发明公开了碳化硅功率件中钝化结构的制备方法，简化了传统的两次光刻工艺过程，一次光刻工艺即可完成，且不需要使用额外的光刻胶，降低了原料成本，绿色环保；步骤简单，有效地减小了质量控制的难度，便于推广应用。 |
