一种电力电子用半导体器件及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202110522555.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113284940A | 公开（公告）日 | 2021-08-20 |
| 申请公布号 | CN113284940A | 申请公布日 | 2021-08-20 |
| 分类号 | H01L29/06;H01L29/40;H01L21/822 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 周宏伟;潘敏智;孔梓玮 | 申请（专利权）人 | 乐山无线电股份有限公司 |
| 代理机构 | 四川力久律师事务所 | 代理人 | 张浩 |
| 地址 | 614000 四川省乐山市人民西路287号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种电力电子用半导体器件及其制作方法。该半导体器件包含第一半导体层；在所述第一半导体层上表面设有沟槽区域；包含若干沟槽；所述若干沟槽内均填充第一绝缘介质材料；排列方式为，沿远离器件有源区方向，沟槽的宽度递减，沟槽的间距递增，沟槽的深度逐渐变浅；所述沟槽区域下方设有终端扩展区；在远离器件有源区的边缘端设有截止环区域；所述第二介质层位于所述沟槽区域上侧；所述第一导电层位于所述第二介质层边缘上侧；所述第一导电层和所述截止环区域以及所述终端扩展区连接；所述阻挡层位于所述第二介质层上侧；所述钝化层位于所述阻挡层上侧并能够覆盖装置上表面。终端表面电场分布更加均匀，提高了装置的可靠性。 |
