一种碳化硅功率器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202210283714.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114664756A | 公开（公告）日 | 2022-06-24 |
| 申请公布号 | CN114664756A | 申请公布日 | 2022-06-24 |
| 分类号 | H01L23/31（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L23/29（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 何欢;周宏伟;高建宁;潘敏智 | 申请（专利权）人 | 乐山无线电股份有限公司 |
| 代理机构 | 四川力久律师事务所 | 代理人 | - |
| 地址 | 614000四川省乐山市人民西路287号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及了一种碳化硅功率器件及其制备方法，包括芯片、PA钝化层和PI钝化层；所述芯片由下向上包括依次连接的N+衬底、N‑外延层以及金属层；所述金属层的面积小于所述N‑外延层的面积；所述PA钝化层淀积在金属层的表面上以及外露的N‑外延层的表面上，所述PA钝化层的中部设置有第一凹陷窗口，所述第一凹陷窗口的底面为金属层的表面；所述PA钝化层靠近碳化硅功率器件的边缘区域设置有第二凹陷窗口，所述第二凹陷窗口的底面为N‑外延层的表面；PI钝化层淀积在所述PA钝化层的材料表面并填充于所述第二凹陷窗口的内部。提高了器件阻止水汽进入器件内部侵蚀芯片的能力，增强了器件在极限应用场景下的可靠性。 |
