具有叠层有源层的薄膜晶体管及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201610020616.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105679833B | 公开（公告）日 | 2018-12-11 |
| 申请公布号 | CN105679833B | 申请公布日 | 2018-12-11 |
| 分类号 | H01L29/786;H01L21/34;H01L21/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 宁洪龙;曾勇;刘贤哲;郑泽科;姚日晖;兰林锋;王磊;徐苗;邹建华;陶洪;彭俊彪;吴为敬 | 申请（专利权）人 | 广州华南理工大学资产经营有限公司 |
| 代理机构 | 广州市华学知识产权代理有限公司 | 代理人 | 华南理工大学;王磊;广州华南理工大学资产经营有限公司 |
| 地址 | 510640 广东省广州市天河区五山路381号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种具有叠层有源层的薄膜晶体管及其制备方法。所述具有叠层有源层的薄膜晶体管由至少两组子有源层依次叠设沉积构成有源层，子有源层包括一层导体/半导体层和一层绝缘层，绝缘层沉积于所述导体/半导体层上。导体/半导体层为具有导体特性或者半导体特性的三元氧化物ABO，绝缘层为具有绝缘体特性的二元氧化物AO，其中A、B分别代表金属元素；三元氧化物ABO中A元素为Al、Zr、Hf、La或Lu，B元素为Zn或In。有源层通过脉冲激光沉积方式制备而成，且不需要退火。本发明能够以低温工艺制备出高迁移率、高稳定性的薄膜晶体管。 |
