一种基于高功率半导体激光器的激光熔覆方法及系统
基本信息
| 申请号 | CN201811479386.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109234732A | 公开（公告）日 | 2019-01-18 |
| 申请公布号 | CN109234732A | 申请公布日 | 2019-01-18 |
| 分类号 | C23C24/10 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 周洪涛;蒲荷梅 | 申请（专利权）人 | 攀枝花市三圣机械制造有限责任公司 |
| 代理机构 | 成都华风专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 徐丰;张巨箭 |
| 地址 | 617000 四川省攀枝花市仁和区南山循环经济发展区橄榄坪园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于高功率半导体激光器的激光熔覆方法，包括以下步骤：对还原罐筒体进行预处理：通过半导体激光光束熔化激光熔覆用的合金粉末在处理后的还原罐筒体上形成激光熔覆层；对完成激光熔覆的还原罐筒体进行后续处理。通过对因长期在压力、温度等循环交变载荷下使得还原罐筒体壁减薄而报废的还原罐进行激光熔覆，使得使用寿命与新还原罐相当，降低了成本；并在完成激光熔覆加工修复后，对修复后的还原罐筒体进行检测进一步保证修复部分的可靠性，及时发现激光熔覆修复过程中出现的隐患。 |
