光电芯片
基本信息
| 申请号 | CN202023334765.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213988906U | 公开（公告）日 | 2021-08-17 |
| 申请公布号 | CN213988906U | 申请公布日 | 2021-08-17 |
| 分类号 | H01L31/10（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I;H01L21/66（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 邹颜;杨彦伟;张续朋 | 申请（专利权）人 | 芯思杰技术（深圳）股份有限公司 |
| 代理机构 | 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 | 代理人 | 艾青;牛悦涵 |
| 地址 | 518000广东省深圳市南山区学苑大道1001号南山智园A5栋4楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及芯片测试技术领域，公开了一种光电芯片。光电芯片包括：第一区域、第二区域、以及第三区域；其中，第一区域包括衬底、设于衬底上的外延结构、以及设于外延结构上的掩蔽膜；第二区域包括衬底、设于衬底上的外延结构、以及设于外延结构上的第一扩散掺杂层；第三区域包括衬底、设于衬底上的外延结构、以及设于外延结构上的第二扩散掺杂层；第一扩散掺杂层与第二扩散掺杂层彼此间隔分开。本实用新型提供的光电芯片通过形成第一扩散掺杂层和第二扩散掺杂层，在第一扩散掺杂层上对光电芯片的性能和参数进行测试，避免由于探针的针尖直径过大或探针不能直接对第二扩散区进行探测，不便于检测光电芯片的性能；提高光电芯片的良品率。 |
