一种镀膜装置
基本信息
| 申请号 | CN202023229786.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214218856U | 公开（公告）日 | 2021-09-17 |
| 申请公布号 | CN214218856U | 申请公布日 | 2021-09-17 |
| 分类号 | C23C16/50（2006.01）I;C23C16/458（2006.01）I;C23C16/34（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 刘亮;杨彦伟;邹颜 | 申请（专利权）人 | 芯思杰技术（深圳）股份有限公司 |
| 代理机构 | 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 | 代理人 | 艾青;牛悦涵 |
| 地址 | 518000广东省深圳市南山区学苑大道1001号南山智园A5栋4楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种镀膜装置。镀膜装置包括载板以及辅助部件，载板上开设有凹槽，辅助部件位于凹槽内，辅助部件与凹槽的内壁之间形成一用于放置基片的镀膜空间，且镀膜空间与基片的形状相适配。上述镀膜装置，辅助部件与凹槽的内壁之间形成一与基片的形状相适配的镀膜空间，不仅完整基片在镀膜时的边沿色差有所改善，而且非标准基片在镀膜时的边沿色差也有所改善，只需通过设置在凹槽内的辅助部件，由于辅助部件与凹槽的内壁之间形成合适的镀膜空间，如此，淀积氮化硅的边沿效益只会出现在辅助部件上，而不会影响基片，从而避免氮化硅的堆积对等离子场淀积到基片表面的影响，有效改善在镀膜过程中边沿色差的问题。 |
