一种选择性发射极太阳电池制造过程中的氧化硅生成工艺
基本信息
| 申请号 | CN200810207488.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101447529A | 公开（公告）日 | 2009-06-03 |
| 申请公布号 | CN101447529A | 申请公布日 | 2009-06-03 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郝江波;李静;周鹏宇 | 申请（专利权）人 | 扬州晶澳太阳能研发有限公司 |
| 代理机构 | 广州知友专利商标代理有限公司 | 代理人 | 上海晶澳太阳能光伏科技有限公司 |
| 地址 | 200436上海市闸北区江场三路36号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种选择性发射极太阳电池制作过程中的氧化硅生成工艺，通过最优化整个氧化工艺过程中温度，气流量，氧化时间等重要参数可以在硅片表面生长出致密的，稳定的氧化薄膜去阻止磷源进入硅片，然后结合相关的刻蚀手段即可实现硅片表面局部重扩散和轻扩散的目的。 |
