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半导体结构的制备方法及半导体结构

基本信息

申请号 CN202110951715.5 申请日 -
公开（公告）号 CN113410129A 公开（公告）日 2021-09-17
申请公布号 CN113410129A 申请公布日 2021-09-17
分类号 H01L21/02（2006.01）I;H01L21/311（2006.01）I;H01L21/027（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 赵奂 申请（专利权）人 康希通信科技（上海）有限公司
代理机构 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 代理人 董琳
地址 200000上海市浦东新区郭守敬路498号22501室
法律状态 -

摘要

摘要 一种半导体结构的制备方法及半导体结构，方法包括：提供芯片和表面涂敷有导电银浆层的封装基板，芯片具有焊垫，且第一表面处具有通孔，通孔的底部开口暴露焊垫，通孔内侧壁、底部开口处的焊垫表面及第一表面处均覆盖有金属层；将导电块卡设在通孔内；将第一表面朝向封装基板设置，并保持第一表面处的金属层与导电银浆层接触；在第一温度下对导电银浆层进行固化以使得第一表面处的金属层与导电银浆层形成固定连接，且导电块在第一温度下至少部分融化以形成第一导电体，第一导电体与导电银浆层及通孔内侧壁的金属层相接触以实现电连接。本发明通过导电块融化后与导电银浆层及金属层相接触以增大接触面积，提高了芯片的散热和抗干扰能力。