存储单元的读取电压优化方法、3D存储器的控制器及其操作方法
基本信息
| 申请号 | CN202110441613.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113223593A | 公开（公告）日 | 2021-08-06 |
| 申请公布号 | CN113223593A | 申请公布日 | 2021-08-06 |
| 分类号 | G11C16/26（2006.01）I;G11C16/34（2006.01）I;G06F11/10（2006.01）I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 张旭航;喻小帆;肖自铧;曹芮 | 申请（专利权）人 | 联芸科技（杭州）股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京成创同维知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘静;李秀霞 |
| 地址 | 310051浙江省杭州市滨江区阡陌路459号聚光中心C1座6楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种存储单元的读取电压优化方法，存储单元选自与选定物理页对应的多个存储单元；读取电压的优化方法包括：对具有第一阈值电压的存储单元的数量进行统计，得到第一数量；对具有第二阈值电压的存储单元的数量进行统计，得到第二数量；基于第一数量、第二数量以及调节参数，设置最优读取电压；其中，根据数据保存时间、读干扰、交叉温度和编程/擦除次数的不同，设置不同的调节参数；本发明提供的存储单元的读取电压优化方法、3D存储器的控制器及其操作方法，在设置最优读取电压时，只需读取有限次数，有效降低了确定最优读取电压的时延，并且基于读干扰、编程/擦除次数等参数来设置调节参数，提高产品的准确性和可靠性。 |
