金属氮化镓复合衬底外延生长方法及发光二极管外延结构
基本信息
| 申请号 | CN201910908504.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110707184A | 公开（公告）日 | 2021-06-18 |
| 申请公布号 | CN110707184A | 申请公布日 | 2021-06-18 |
| 分类号 | H01L33/00;H01L33/32 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郭丽彬;唐军 | 申请（专利权）人 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 王华英 |
| 地址 | 230011 安徽省合肥市合肥新站区工业园内 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种金属氮化镓复合衬底外延生长方法，所述生长方法包括，提供一金属氮化镓复合衬底，于所述金属氮化镓复合衬底上形成一低温应力层，于所述低温应力层上形成第一半导体层，于所述第一半导体层上形成有源区量子阱层，于所述有源区量子阱层上形成第二半导体层，其中，所述衬底在生长温度介于700至750℃之间进行退火处理，所述低温应力层在生长温度介于700至850℃之间的条件下进行生长。利用本发明，可有效减少衬底的较大翘曲问题，更有利于应力的释放，显著改善衬底的外延层外观，减少外延层鼓泡、起皮及裂纹的现象，改善晶体质量。 |
