一种半导体元件的切割方法及制造方法

基本信息

申请号 CN201811416176.X 申请日 -
公开(公告)号 CN109599357B 公开(公告)日 2020-12-18
申请公布号 CN109599357B 申请公布日 2020-12-18
分类号 H01L21/683;H01L21/268;H01L21/304;H01L33/00 分类 基本电气元件;
发明人 吕振兴;张德;齐胜利;刘亚柱;程常占;唐军 申请(专利权)人 合肥彩虹蓝光科技有限公司
代理机构 上海光华专利事务所(普通合伙) 代理人 合肥彩虹蓝光科技有限公司
地址 230011 安徽省合肥市合肥新站区工业园内
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提出一种半导体元件的切割方法及制造方法,包括:提供一衬底,所述衬底上包括多个半导体元件;进行粘片步骤,粘片膜与所述衬底的底面上进行粘合;覆盖保护膜于所述半导体元件上;进行隐形切割步骤,以在所述衬底内部形成变质层结构;进行劈裂步骤,以获得相互分隔的所述半导体元件。本发明提出的切割方法能够解决现有技术在切割过程中半导体元件脱落的问题,有效地提高了生产良率及作业效率,同时本发明工艺简单稳定,可操作性强,能够在工业上进行推广应用。