一种发光二极管芯片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201811510747.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109326701B | 公开（公告）日 | 2020-12-18 |
| 申请公布号 | CN109326701B | 申请公布日 | 2020-12-18 |
| 分类号 | H01L33/36;H01L33/40;H01L33/30;H01L33/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张洪波;吴化胜;刘亚柱 | 申请（专利权）人 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 地址 | 230011 安徽省合肥市合肥新站区工业园内 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种发光二极管芯片制备方法，该制备方法包括，提供一衬底；于所述衬底上形成第一半导体层；于所述第一半导体层上形成发光层；于所述发光层上形成第二半导体层；于所述第二半导体层上形成透明导电层；于所述第一半导体层上形成第一电极，所述透明导电层上形成第二电极，其中所述第一电极和第二电极的结构包括多个导电层，所述多个导电层中的最外一层为金属钛层，所述金属钛层的厚度为根据该制备方法制备出的发光二极管芯片，可改善芯片老化性能，有效的降低电压。 |
