发光二极管外延结构的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201811510723.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109638129B | 公开（公告）日 | 2021-04-27 |
| 申请公布号 | CN109638129B | 申请公布日 | 2021-04-27 |
| 分类号 | H01L33/32;H01L33/02;H01L33/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郭丽彬;周长健;程斌 | 申请（专利权）人 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 代理机构 | 合肥和瑞知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王挺;魏玉娇 |
| 地址 | 315336 浙江省宁波市杭州湾新区玉海东路136号数字经济产业园B区14号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种发光二极管外延结构的制备方法，所述方法包括，提供一衬底，其中所述衬底上设有第一电极；在所述衬底上形成N型半导体层；在所述N型半导体层上形成发光层；在所述发光层上形成P型半导体层；在所述P型半导体层上形成P型接触层；其中所述P型接触层的生长速率小于0.35um/h，且厚度小于等于并具有镁的掺杂浓度大于等于1.00E+20atoms/cm3。利用本发明，可有效改善器件冷热比性能，提高器件的光电效应，获得光电性能良好的发光二极管。 |
