一种炉外精炼提纯工业硅熔体的方法

基本信息

申请号 CN201310020851.8 申请日 -
公开(公告)号 CN103058200A 公开(公告)日 2013-04-24
申请公布号 CN103058200A 申请公布日 2013-04-24
分类号 C01B33/037(2006.01)I 分类 无机化学;
发明人 马文会;魏奎先;周继红;王统;张龙;谢克强;周阳;伍继君;杨斌;戴永年 申请(专利权)人 云南宏盛锦盟企业集团有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 650093 云南省昆明市五华区学府路253号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种炉外精炼提纯工业硅熔体的方法,经过下列步骤:往抬包内通入空气,再将矿热炉内的硅熔体释放到抬包内,对抬包内的硅熔体进行微波加热,保持硅熔体的炉外精炼温度进行炉外吹气、造渣精炼0.5~10h;待炉外精炼完毕后,进行渣硅分离,再进行浇注,即完成炉外精炼提纯工业硅熔体。通过上述炉外精炼过程,可以去除工业硅熔体中包括Al、Ca、Ti、Na、Mg在内的大部分金属杂质和部分B、P、S、C等非金属杂质,同时可以为后续的工业硅提纯控制有效的成分,为冶金法制备太阳能级硅提供高品质的原料。本发明具备充分利用和节约能源、生产效率高、基建投资较少、环境无污染等特点。