一种用于外延生长的反应装置
基本信息
| 申请号 | CN201920632891.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN210341057U | 公开（公告）日 | 2020-04-17 |
| 申请公布号 | CN210341057U | 申请公布日 | 2020-04-17 |
| 分类号 | C23C16/44 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 沈文杰;傅林坚;周建灿;邵鹏飞;汤承伟;杨奎;周航;潘礼钱 | 申请（专利权）人 | 杭州弘晟智能科技有限公司 |
| 代理机构 | 杭州中成专利事务所有限公司 | 代理人 | 周世骏 |
| 地址 | 311100 浙江省杭州市余杭区龙船坞路96号2幢3层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及半导体外延生长设备领域，具体涉及一种用于外延生长的反应装置。包括石英腔、感应加热线圈、反应腔、进气装置；感应加热线圈设于石英腔的正上方与正下方；反应腔设于石英腔内，反应腔内对称设有通过两侧的支撑板相连的上半月加热座与下半月加热座；进气装置包括回填气嘴、第一导流接口与第二导流接口。本实用新型可以大大提高气相沉积后外延层的厚度均匀性。 |
