一种横向锗探测器结构及制备方法
基本信息
申请号 | CN201810954972.2 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN109119500A | 公开(公告)日 | 2019-01-01 |
申请公布号 | CN109119500A | 申请公布日 | 2019-01-01 |
分类号 | H01L31/0288;H01L31/0352;H01L31/103;H01L31/18 | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 陈昌华;魏江镔;仇超;柏艳飞;甘甫烷 | 申请(专利权)人 | 南通赛勒光电科技有限公司 |
代理机构 | 上海申新律师事务所 | 代理人 | 南通赛勒光电科技有限公司 |
地址 | 226000 江苏省南通市苏通科技产业园1088号江成研发园内4号楼北楼 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开一种横向锗探测器结构,其中,横向锗探测器结构为横向光电二极管结构,包括硅衬底;硅氧化层沉积于硅衬底的上表面;硅氧化层上包括顶层硅,顶层硅的一侧形成第一掺杂区域,于第一掺杂区域的上表面形成第一电极;顶层硅的上表面形成耦合层,于耦合层背向第一电极的一侧形成延伸部,于延伸部形成第二掺杂区域,于第二掺杂区域形成第二电极;氮化硅波导为锥形结构,形成于多晶硅层的上方。有益效果:通过改造锗层结构,对顶层硅及锗层分别进行掺杂,增强了氮化硅波导耦合至锗探测器的耦合效率,实现了光复用器、光解复用器与锗探测器的有效集成,还应用于高光功率及高带宽的光电探测领域中。 |
