一种横向锗探测器结构及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201810954972.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109119500A | 公开（公告）日 | 2019-01-01 |
| 申请公布号 | CN109119500A | 申请公布日 | 2019-01-01 |
| 分类号 | H01L31/0288;H01L31/0352;H01L31/103;H01L31/18 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈昌华;魏江镔;仇超;柏艳飞;甘甫烷 | 申请（专利权）人 | 南通赛勒光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海申新律师事务所 | 代理人 | 南通赛勒光电科技有限公司 |
| 地址 | 226000 江苏省南通市苏通科技产业园1088号江成研发园内4号楼北楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种横向锗探测器结构，其中，横向锗探测器结构为横向光电二极管结构，包括硅衬底；硅氧化层沉积于硅衬底的上表面；硅氧化层上包括顶层硅，顶层硅的一侧形成第一掺杂区域，于第一掺杂区域的上表面形成第一电极；顶层硅的上表面形成耦合层，于耦合层背向第一电极的一侧形成延伸部，于延伸部形成第二掺杂区域，于第二掺杂区域形成第二电极；氮化硅波导为锥形结构，形成于多晶硅层的上方。有益效果：通过改造锗层结构，对顶层硅及锗层分别进行掺杂，增强了氮化硅波导耦合至锗探测器的耦合效率，实现了光复用器、光解复用器与锗探测器的有效集成，还应用于高光功率及高带宽的光电探测领域中。 |
