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一种耦合对准结构及方法

基本信息

申请号 CN201910844015.9 申请日 -
公开（公告）号 CN111474642A 公开（公告）日 2020-07-31
申请公布号 CN111474642A 申请公布日 2020-07-31
分类号 G02B6/42(2006.01)I 分类 -
发明人 宋广益;甘甫烷;陈昌华;仇超 申请（专利权）人 南通赛勒光电科技有限公司
代理机构 上海申新律师事务所 代理人 南通赛勒光电科技有限公司
地址 226000江苏省南通市苏通科技产业园1088号江成研发园内4号楼北楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明属于硅光芯片工艺制作领域，公开了一种耦合对准结构及方法，激光器芯片的底面上设置有激光器波导以及两个限位柱，激光器波导的突出部分和限位柱的突出部分齐平；硅光芯片中包括硅光波导,埋氧层和凹槽，凹槽内分别设置两个限位平面，限位平面的设置位置与限位柱一一对应；激光器波导的模场中心与限位柱的突出部分的顶面为第一厚度；限位平面的顶面至埋氧层的下表面之间的第二厚度由第一厚度、硅光波导的参数值以及埋氧层的参数值确定；过限位柱和限位平面的配合将激光器芯片贴合在硅光芯片的凹槽内，以使激光器波导与硅光波导在高度上对准。上述技术方案的有益效果是：确保激光器芯片和硅光芯片之间的耦合成功率，并且降低经济成本。