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一种横向锗探测器结构及制备方法

基本信息

申请号 CN201810956083.X 申请日 -
公开（公告）号 CN109103283A 公开（公告）日 2018-12-28
申请公布号 CN109103283A 申请公布日 2018-12-28
分类号 H01L31/0328;H01L31/102;H01L31/18 分类 基本电气元件;
发明人 陈昌华;魏江镔;仇超;柏艳飞;甘甫烷 申请（专利权）人 南通赛勒光电科技有限公司
代理机构 上海申新律师事务所 代理人 南通赛勒光电科技有限公司
地址 226000 江苏省南通市苏通科技产业园1088号江成研发园内4号楼北楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明包括一种横向锗探测器结构及制备方法，其中，横向锗探测器结构为横向光电二极管，包括硅衬底；硅氧化层沉积于硅衬底的上表面；硅氧化层包括顶层硅；锗层形成于顶层硅的上表面，锗层包括锗层主体，以及由锗层主体分别向两侧延伸的第一延伸部与第二延伸部，于第一延伸部与第二延伸部分别形成第一掺杂区域与第二掺杂区域，于第一掺杂区域与第二掺杂区域的上表面分别形成第一电极与第二电极；氮化硅波导形成于锗层的上方，氮化硅波导为锥形结构。有益效果：通过改造锗层结构，有效增强氮化硅波导耦合至锗探测器的耦合效率，可以实现光复用器与光解复用器与锗探测器的有效集成，还可以应用于高光功率及高带宽的光电探测领域中。