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一种端面耦合器及其制备方法

基本信息

申请号 CN201810991569.7 申请日 -
公开（公告）号 CN108983352B 公开（公告）日 2020-08-07
申请公布号 CN108983352B 申请公布日 2020-08-07
分类号 G02B6/10;G02B6/122;G02B6/136 分类 -
发明人 柏艳飞;仇超;甘甫烷 申请（专利权）人 南通赛勒光电科技有限公司
代理机构 上海申新律师事务所 代理人 南通赛勒光电科技有限公司
地址 226000 江苏省南通市苏通科技产业园1088号江成研发园内4号楼北楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开一种端面耦合器及其制备方法，其中包括：硅衬底；埋氧层形成于硅衬底的上表面；于埋氧层中形成：顶层硅具有一第一顶层硅与一第二顶层硅；氮化硅波导形成于顶层硅的上方，氮化硅波导包括一第一氮化硅波导与一第二氮化硅波导；第一氮化硅波导与第二氮化硅波导的中心线位于顶层硅的中心线上。有益效果：通过在顶层硅的上方不同高度处生长多层氮化硅波导，实现了较大模斑尺寸的光场，并结合纵向楔形结构的设计，缩短了纵向结构的长度，最终实现了较高耦合效率的波导端面耦合器，并且这种端面耦合器制作工艺简单，与CMOS工艺兼容，可用于大规模生产，成本较低，具有较高的产业利用价值。