一种氮化硅耦合锗探测器结构及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201810954990.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109148619A | 公开（公告）日 | 2019-01-04 |
| 申请公布号 | CN109148619A | 申请公布日 | 2019-01-04 |
| 分类号 | H01L31/0232;H01L31/103;H01L31/18 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈昌华;魏江镔;仇超;柏艳飞;甘甫烷 | 申请（专利权）人 | 南通赛勒光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海申新律师事务所 | 代理人 | 南通赛勒光电科技有限公司 |
| 地址 | 226000 江苏省南通市苏通科技产业园1088号江成研发园内4号楼北楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种氮化硅耦合锗探测器结构，其中为横向光电二极管结构，包括硅衬底；硅氧化层沉积于硅衬底的上表面；硅氧化层上包括：顶层硅的两侧分别形成第一掺杂区域与第二掺杂区域；锗层形成于第一掺杂区域与第二掺杂区域之间的上表面，于第一掺杂区域与第二掺杂区域的上表面分别形成第一电极与第二电极，第一电极与第二电极分别向上延伸出硅氧化层；氮化硅波导形成于锗层的上方，氮化硅波导为锥形结构，氮化硅波导具有第一端与第二端，第一端小于第二端。有益效果：有利于氮化硅解复用器与锗探测器的集成，节省材料时间成本，将氮化硅波导改为锥形结构，增强氮化硅波导耦合至锗探测器的耦合效率，还应用于高光功率及高带宽的探测领域中。 |
