一种提高LED亮度的外延方法
基本信息
| 申请号 | CN201910881462.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110676356B | 公开（公告）日 | 2020-01-10 |
| 申请公布号 | CN110676356B | 申请公布日 | 2020-01-10 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I; | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 彭鹏 | 申请（专利权）人 | 陕西飞米企业管理合伙企业（有限合伙） |
| 代理机构 | 西安弘理专利事务所 | 代理人 | 韩玙 |
| 地址 | 710075陕西省西安市高新区发展大道18号飞秒研发办公室107室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种提高LED亮度的外延方法，传统LED的多重量子阱生长过程中，在最后一层量子垒结束后，新增一层不同于量子垒的外延粗化层，其中反应室内气氛环境依旧沿用量子垒生长条件，即反应室内气氛环境为V族气体源载气及通入反应室内气体，新增后的LED外延结构依次为接触层、P型掺杂层、P型阻滞层、外延粗化层、多重量子阱、应力释放层、N型阻滞层、N型掺杂层、非掺杂层、缓冲层和衬底。本发明用于提高LED的亮度和器件效率。 |
