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一种石墨烯/硅太阳电池及其制造方法

基本信息

申请号 CN201310249039.2 申请日 -
公开（公告）号 CN103311323B 公开（公告）日 2015-11-25
申请公布号 CN103311323B 申请公布日 2015-11-25
分类号 H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 林时胜;李晓强 申请（专利权）人 杭州格蓝丰科技有限公司
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 代理人 浙江大学
地址 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种石墨烯/硅太阳电池及其制造方法，该石墨烯/硅太阳电池自下而上依次有背面电极、p型硅层、n型硅层、n型掺杂的石墨烯层和正面电极，石墨烯掺杂载流子浓度不低于1012cm-2。其制造包括：先将p型硅片浸入化学制绒液中，使其表面形成绒面结构；然后将制绒后的样品通过磷扩散或磷离子注入进行磷掺杂形成n型硅层；再将n型掺杂的石墨烯转移至磷掺杂n型硅层上；在p型硅层上制作背面电极；在n型掺杂的石墨烯上制作正面电极。本发明的石墨烯/硅太阳电池利用石墨烯材料能提高太阳电池的开路电压，且可以降低太阳电池的串联电阻，提高输出功率。