超声波键合微流控芯片及其制备方法

基本信息

申请号 CN201610151529.2 申请日 -
公开(公告)号 CN105833924A 公开(公告)日 2016-08-10
申请公布号 CN105833924A 申请公布日 2016-08-10
分类号 B01L3/00(2006.01)I 分类 一般的物理或化学的方法或装置;
发明人 刘祝凯;胡在兵;郭哲;许斌;刘伟 申请(专利权)人 北京同方华光系统工程有限公司
代理机构 北京亿腾知识产权代理事务所 代理人 陈霁
地址 101500 北京市密云县密云经济技术开发区水源路4号清华同方信息综合楼202室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种超声波键合微流控芯片及其制备方法,所述方法包括:制备具有沟槽的基片;制备盖片,所述盖片除中间部分具有与所述基片沟槽相同结构的导能筋外,盖片四周也具有导能筋;利用所述基片上的沟槽和所述盖片上的导能筋进行超声波键合,得到所述微流控芯片。本发明根据基片的特征尺寸,设计针对性的盖片结构,大大简化了芯片注塑模具的制作工艺,提高了生产效率;在封装过程中不需胶黏剂等介质,无污染;并且在连接面为熔融连接,封接强度高;超声波键合前,不需要前序处理,缩短了制备时间,且在键合工艺参数上降低了键合时间,封装速度快,可连续自动化生产,从而实现聚合物芯片的规模化生产。