用于激光剥离的半导体结构以及半导体结构的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201811536977.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111293201B | 公开（公告）日 | 2022-04-26 |
| 申请公布号 | CN111293201B | 申请公布日 | 2022-04-26 |
| 分类号 | H01L33/46（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 林昶;史梁 | 申请（专利权）人 | 霸州市云谷电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京布瑞知识产权代理有限公司 | 代理人 | 孟潭 |
| 地址 | 511300广东省广州市增城区永宁街香山大道2号（增城经济技术开发区核心区内） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种用于激光剥离的半导体结构以及用于激光剥离的半导体结构的制备方法，通过在外延层靠近衬底侧设置反射层，在利用激光使衬底剥离过程中依靠该反射层对激光进行反射和能量的消耗，达到保护外延层的作用，可以有效的解决利用激光使衬底剥离的过程中产生的冲击导致外延层不同程度损坏的问题。其中用于激光剥离的半导体结构包括：外延层；反射层，与外延层相连接，用于在利用激光使衬底剥离时对接收到的激光进行反射。 |
