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一种集成电路芯片内部参考电压的校准方法、装置

基本信息

申请号 CN201410079616.2 申请日 -
公开（公告）号 CN103901336A 公开（公告）日 2014-07-02
申请公布号 CN103901336A 申请公布日 2014-07-02
分类号 G01R31/28 分类 测量；测试;
发明人 刘鹏飞;郑育盛 申请（专利权）人 江苏欣锐新能源技术有限公司
代理机构 广州三环专利代理有限公司 代理人 郝传鑫;熊永强
地址 518000 广东省深圳市南山区桃源街道塘岭路1号金骐智谷大厦5楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明实施例公开了一种集成电路芯片内部参考电压的校准方法和装置，校准方法包括：将与所述集成电路芯片连接的恒定供电电压作为所述集成电路芯片模数转换初始化的基准电压；根据所述基准电压，对所述集成电路芯片内部的参考电压进行校准；其中，所述对所述集成电路芯片内部的参考电压进行校准包括：采集所述集成电路芯片内部的参考电压值，将参考电压校准值设置为所述参考电压值。相应地，本发明实施例还公开了使用上述校准方法校准的内部参考电压来对集成电路芯片采集的数据进行校准的方法和装置。实施本发明实施例，可简单方便地对集成电路芯片的参考电压进行校准，进而对集成电路芯片采集的数据进行校准，保证了数据的准确性。