一维链状晶体结构硒化锑薄膜及提高其空穴浓度的方法
基本信息
| 申请号 | CN202111314386.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114164399A | 公开（公告）日 | 2022-03-11 |
| 申请公布号 | CN114164399A | 申请公布日 | 2022-03-11 |
| 分类号 | C23C14/06（2006.01）I;C23C14/24（2006.01）I;C30B29/46（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 唐江;鲁帅成;陈超;高亮;李康华;卢岳 | 申请（专利权）人 | 华中科技大学温州先进制造技术研究院 |
| 代理机构 | 华中科技大学专利中心 | 代理人 | 汪洁丽 |
| 地址 | 430074湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种提高一维链状晶体结构硒化锑薄膜空穴浓度的方法，其中，该方法包括：将掺杂剂和硒化锑以粉末形式充分混合，形成混合粉末，所述掺杂剂包括第Ⅳ主族元素单质或含有第Ⅳ主族元素的硒化物；将所述混合粉末进行烧结再研磨，得到掺杂粉末；将所述掺杂粉末作为蒸发源，通过气相转移沉积法得到掺杂硒化锑薄膜，所述掺杂硒化锑薄膜中的锑元素被所述掺杂剂中的第Ⅳ主族元素替换。选用第Ⅳ主族元素单质或含有第Ⅳ主族元素的硒化物作为掺杂剂对硒化锑进行掺杂，实验研究表明，使用该掺杂剂能够将硒化锑薄膜的空穴载流子浓度提升至1×1016cm‑3以上。 |
