一种硅锗基低介微波介质陶瓷及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202210219742.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114634352A | 公开（公告）日 | 2022-06-17 |
| 申请公布号 | CN114634352A | 申请公布日 | 2022-06-17 |
| 分类号 | C04B35/01（2006.01）I;C04B35/622（2006.01）I;C04B35/626（2006.01）I | 分类 | 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕; |
| 发明人 | 雷文;杜康;吕文中;宋小强;付明;王晓川 | 申请（专利权）人 | 华中科技大学温州先进制造技术研究院 |
| 代理机构 | 北京盛凡佳华专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 325035浙江省温州市瓯海区茶山街道朝阳新街225号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于低介微波介质陶瓷技术领域，更具体地，涉及一种硅锗基低介微波介质陶瓷及其制备方法。将化学通式为xBaO‑MO2‑3NO2（M＝SnyZrzHfk；N＝Si1‑lGel；y+z+k＝1；0r＝6.6～9.5）、优异的品质因数（Q×f＝7977～36100GHz）和较宽的烧结温度（1200℃～1450℃），同时该微波介质陶瓷具有负的谐振频率温度系数（‑37.8ppm/℃≤τf≤‑22.8ppm/℃）。该微波介质陶瓷的较低的烧结温度、低的介电常数和优异的品质因数可使这种低介微波介质材料作为介质基板、介质谐振器以及介质滤波器等元器件的原材料使用。 |
