一种非光刻图形化掩模的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202010758022.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111999979A | 公开（公告）日 | 2020-11-27 |
| 申请公布号 | CN111999979A | 申请公布日 | 2020-11-27 |
| 分类号 | G03F1/76(2012.01)I | 分类 | 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕; |
| 发明人 | 李中天;姚宇;邓晓帆 | 申请（专利权）人 | 苏州太阳井新能源有限公司 |
| 代理机构 | 苏州吴韵知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王铭陆 |
| 地址 | 215127江苏省苏州市吴中区甪直镇凌港路128号3幢4层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种非光刻图形化掩模的制造方法，包括以下步骤：S1.在衬底上设置一层高分子材料；S2.将这层高分子材料中部分不需要保留的区域接触含有阻聚剂或缓聚剂的溶液；S3.对包含高分子材料的衬底进行热处理；S4.将包含高分子材料的衬底浸在显影溶液或通过喷雾显影法显影，直到高分子材料接触阻聚剂或缓聚剂的区域溶解。本发明和传统光刻工艺或干膜工艺相比，此图形化掩膜的方法不需要光源与曝光过程，并且高分子材料中并不需要添加光敏成分，大幅降低材料成本，在需要低成本掩膜的应用领域。 |
