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一种红外焦平面探测器及其制备方法

基本信息

申请号 CN201710825905.6 申请日 -
公开（公告）号 CN109509809A 公开（公告）日 2019-03-22
申请公布号 CN109509809A 申请公布日 2019-03-22
分类号 H01L31/18（2006.01）I; H01L31/101（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 白谢晖 申请（专利权）人 浙江英孚莱德光电科技有限公司
代理机构 北京清源汇知识产权代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 北京弘芯科技有限公司
地址 100176 北京市大兴区经济技术开发区荣昌东街甲5号3号楼401-2
法律状态 -

摘要

摘要 本申请公开了一种红外焦平面探测器的制造方法，包括：提供形成有包含红外焦平面探测器芯片的锑化铟晶片，所述红外焦平面探测器芯片包含有复数个红外探测单元；在所述锑化铟晶片上，且所述红外焦平面探测器芯片有源区与相邻红外焦平面探测器芯片划片区之间区域形成隔离槽；在所述红外焦平面探测器芯片的红外探测单元上形成倒装连接结构；通过划片工艺将所述锑化铟晶片上的红外焦平面探测器芯片切割分离；将通过所述划片工艺获得的红外焦平面探测器芯片通过倒装连接结构与读出电路倒装互连。本申请方法可提高探测器在生产过程中的成品率和提高探测器的可靠性。本申请还提供一种半导体结构及红外焦平面探测器。