一种高集成度多波束瓦片式TR组件

基本信息

申请号 CN202110451045.0 申请日 -
公开(公告)号 CN112994760B 公开(公告)日 2021-08-10
申请公布号 CN112994760B 申请公布日 2021-08-10
分类号 H04B7/0408;H04B7/06;H04B7/08;H04L27/34 分类 电通信技术;
发明人 唐耀宗;周沛翰;冯琳;丁卓富;邓金峰;薛伟 申请(专利权)人 成都雷电微晶科技有限公司
代理机构 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 代理人 封浪
地址 610000 四川省成都市双流区西南航空港经济开发区物联网产业区内
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种高集成度多波束瓦片式TR组件,从射频公共输入端口输入的射频信号经射频控制板上的信号处理电路进行多波束信号功分、幅相调制、功率放大后,经天线输出端口实现射频信号输出;从供电与控制连接器端口输入的供电和控制信号传输到波控子板,经波控子板过渡到射频供电板进行电压转换,经电压转换后的低频信号通过毛纽扣固定板与射频控制板连通,实现供电和控制信号的传输。本发明的TR组件加入了毛纽扣固定板,可以降低装配难度和射频供电板的布线难度,使得供电和控制信号的焊盘大小、位置和分布更加自由,增加DAC芯片和射频处理芯片的集成数量,提高了多波束射频信号TR组件的集成度,具备小型化、高稳定性的特点。