一种铜铟镓硒镀膜设备的真空腔室

基本信息

申请号 CN201910556740.6 申请日 -
公开(公告)号 CN110344019A 公开(公告)日 2019-10-18
申请公布号 CN110344019A 申请公布日 2019-10-18
分类号 C23C14/56;C23C14/24;C23C14/06;H01L31/18 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 袁正 申请(专利权)人 北京知虹科技有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 518000 广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室(入驻深圳市前海商务秘书有限公司)
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种铜铟镓硒镀膜设备的真空腔室,包括腔体、前门板和背板,所述腔体的前端和后端分别开设有第一开口和第二开口,腔体内设有隔板,隔板将腔体分隔为腔体上部和腔体下部,腔体上部安装有卷绕装置,腔体下部安装有加热装置和蒸发源,且腔体与真空系统连接;前门板可开合地设置在腔体的前端,背板可开合地设置在腔体的后端,前门板与腔体之间设有第一密封件,背板与腔体之间设有第二密封件。该真空腔室在工作状态下,能够满足高真空的工艺要求,在非工作状态下,所述真空腔室能够满足检修的工艺要求。