一种制备铜铟镓硒薄膜的蒸发系统

基本信息

申请号 CN201910741870.7 申请日 -
公开(公告)号 CN110512174A 公开(公告)日 2019-11-29
申请公布号 CN110512174A 申请公布日 2019-11-29
分类号 C23C14/24;C23C14/06 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 陈立国 申请(专利权)人 北京知虹科技有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 518000 广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室(入驻深圳市前海商务秘书有限公司)
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种制备铜铟镓硒薄膜的蒸发系统,包括真空腔室和若干个蒸发单元,每一个所述的蒸发单元的底部均设有可调节高度的支撑单元,所述支撑单元支撑在所述真空腔室的内底面,所述若干个蒸发单元按照镀膜工艺流程依次设置在所述真空腔室内,且每一个蒸发单元与基材的距离均相同。该蒸发系统通过在一个真空腔室内按照镀膜工艺流程依次设置若干个高度可调的蒸发单元,通过调节每一个蒸发单元的高度,使得每一个蒸发单元与基材的距离均相同,从而保证了基材蒸镀的效果;同时,可根据基材形状的变化而调整不同蒸发单元的高度,使得基材在本身重力作用下弯曲时,也能够保证各个蒸发单元与基材的距离保持相同。