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一种连续式半导体蚀刻设备

基本信息

申请号 2020210831248 申请日 -
公开（公告）号 CN212412002U 公开（公告）日 2021-01-26
申请公布号 CN212412002U 申请公布日 2021-01-26
分类号 H01L21/302(2006.01)I; 分类 基本电气元件;
发明人 廖海涛 申请（专利权）人 江苏邑文微电子科技有限公司
代理机构 北京商专润文专利代理事务所（普通合伙） 代理人 朱建
地址 226000江苏省南通市如东县掘港街道金山路1号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种连续式半导体蚀刻设备，涉及到半导体蚀刻设备领域，包括装置本体，装置本体的一侧设有电气控制柜、装置本体上设有装置门，装置门上设有玻璃，装置本体的底侧内壁设有废液收集盒，装置本体的底侧内壁设有加热器。本实用新型结构合理,通过设置加热器和搅拌器，使得蚀刻液温度保持合适温度和蚀刻液搅拌均匀保持合适浓度，提高了蚀刻的速率，单线设置两个半导体蚀刻，提高了蚀刻速度，通过设置纵板和挡板，避免蚀刻液飞溅到其它半导体上，通过设置加热箱和风扇，对半导体表面进行主吹干，通过设置空气滤清器，过滤空气中的杂质，避免半导体被空气中的杂质污染而影响使用功能。