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半导体等离子刻蚀腔体等离子体聚焦环

基本信息

申请号 2020210582156 申请日 -
公开（公告）号 CN212392208U 公开（公告）日 2021-01-22
申请公布号 CN212392208U 申请公布日 2021-01-22
分类号 H01J37/32(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 廖海涛 申请（专利权）人 江苏邑文微电子科技有限公司
代理机构 北京商专润文专利代理事务所（普通合伙） 代理人 邢若兰
地址 226400江苏省南通市如东县掘港街道金山路1号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了半导体等离子刻蚀腔体等离子体聚焦环，包括固定环形框架，所述固定环形框架的内侧面开设有台阶槽，所述台阶槽的内侧设置有聚光环本体，所述台阶槽的内侧面且位于聚光环本体的下方固定连接有内侧板，所述内侧板的外侧面与台阶槽的侧面组成一个开口的密封室，所述密封室的内部且靠近开口处设置有环形堵盖，所述聚光环本体的底面固定连接有多个连接杆。本实用新型，通过设置有两组框架结构，且在两组框架结构之间设置有伸缩和连接件结构，能够便于调节聚光环本体的高度，通过在聚光环本体的底面固定连接有连接杆，连接杆的底部延伸至密封室的内部固定连接有悬浮的浮球，能够保证调节的时候聚光环本体水平。