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一种FPGA片上低功耗系统

基本信息

申请号	CN201310258547.7	申请日	-
公开（公告）号	CN103346779A	公开（公告）日	2013-10-09
申请公布号	CN103346779A	申请公布日	2013-10-09
分类号	H03K19/177(2006.01)I	分类	基本电子电路;
发明人	何弢	申请（专利权）人	成都鸿智电通微电子有限公司
代理机构	成都高远知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	成都鸿芯纪元科技有限公司;北京鸿智电通科技有限公司
地址	610041 四川省成都市高新区天府大道北段1480号6幢102室
法律状态	-

摘要

本发明公开一种FPGA片上低功耗系统，包括参考电压电路、上电复位模块、DLL电源模块、SRAM电源模块；所述参考电压电路提供1.2V和1.8V的双电压基准，上电复位模块包括一个在芯片电源上升到1.6V时发出上电复位的POR脉冲信号的上电复位电路，DLL电源模块包括一个为DLL延迟链提供2V电压的稳压器，所述SRAM电源模块从芯片电源VDD通过电压变换得到另一电压SRAMVDD，所述SRAMVDD电压高于电压VDD，电压SRAMVDD和电压VDD分别加在不同的SRAM单元上，SRAMVDD电压同时加在SRAM单元的PMOS晶体管的源端和PMOS晶体管的衬底上。本发明能降低FPGA芯片了芯片的动态开关功耗和短路功率，降低SRAM存储器的动态开关功耗和静态直流功率，提高FPGA芯片的安全性和工作的稳定性。