一种FPGA片上SRAM电源
基本信息
| 申请号 | CN201320382613.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN203301367U | 公开（公告）日 | 2013-11-20 |
| 申请公布号 | CN203301367U | 申请公布日 | 2013-11-20 |
| 分类号 | H02M3/07(2006.01)I | 分类 | 发电、变电或配电; |
| 发明人 | 何弢 | 申请（专利权）人 | 成都鸿智电通微电子有限公司 |
| 代理机构 | 成都高远知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 成都鸿芯纪元科技有限公司;北京芯诣世纪科技有限公司 |
| 地址 | 610041 四川省成都市高新区天府大道北段1480号6幢102室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开一种FPGA片上SRAM电源：包括用于提供1.2V和1.8V的双基准电压的参考电压电路、用于检测SRAM电源电压值和1.2V基准电压并产生数字逻辑输出的电压检测器、用于抑制或补偿SRAM的电源电压并提高SRAM电源电压的驱动能力的电压比较器、用于产生电压泵输出电压的有效VCLK时钟信号的环形振荡器、用于为全芯片的SRAM单元提供3.3V的电源支持的电荷泵；参考电压电路连接电压检测器，电压检测器连接环形振荡器和SRAM单元，电压比较器连接电荷泵，环形振荡器连接电荷泵，电荷泵为SRAM单元提供工作电源；本实用新型能降低FPGA片上SRAM存储器的动态开关功耗和静态直流功率。 |
