一种FPGA片上低功耗系统
基本信息
申请号 | CN201320372093.1 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN203406851U | 公开(公告)日 | 2014-01-22 |
申请公布号 | CN203406851U | 申请公布日 | 2014-01-22 |
分类号 | H03K19/177 | 分类 | 基本电子电路; |
发明人 | 何弢 | 申请(专利权)人 | 成都鸿智电通微电子有限公司 |
代理机构 | 成都高远知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 李高峡 |
地址 | 100086北京市海淀区知春路23号208室 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本实用新型公开一种FPGA片上低功耗系统,包括参考电压电路、上电复位模块、DLL电源模块、SRAM电源模块;所述参考电压电路提供1.2V和1.8V的双电压基准,上电复位模块包括一个在芯片电源上升到1.6V时发出上电复位的POR脉冲信号的上电复位电路,DLL电源模块包括一个为DLL延迟链提供2V电压的稳压器,所述SRAM电源模块从芯片电源VDD通过电压变换得到另一电压SRAMVDD,所述SRAMVDD电压高于电压VDD,电压SRAMVDD和电压VDD分别加在不同的SRAM单元上,SRAMVDD电压同时加在SRAM单元的PMOS晶体管的源端和PMOS晶体管的衬底上。本实用新型能降低FPGA芯片了芯片的动态开关功耗和短路功率,降低SRAM存储器的动态开关功耗和静态直流功率,提高FPGA芯片的安全性和工作的稳定性。 |
