金刚石单晶生长装置及方法
基本信息
| 申请号 | CN201711243374.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107955967A | 公开（公告）日 | 2018-04-24 |
| 申请公布号 | CN107955967A | 申请公布日 | 2018-04-24 |
| 分类号 | C30B29/04;C30B25/00 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 刘晓晨;姜龙;郭辉;何奇宇 | 申请（专利权）人 | 河北普莱斯曼金刚石科技有限公司 |
| 代理机构 | 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人 | 河北普莱斯曼金刚石科技有限公司 |
| 地址 | 050081 河北省石家庄市友谊南大街46号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及晶体合成技术领域，提供了一种金刚石单晶生长装置及方法。所述装置包括：沉积台和可升降中心柱；所述沉积台上设有沉积台孔，所述可升降中心柱上设有与所述沉积台孔配合的孔柱，所述孔柱设置在所述沉积台孔中。所述装置及方法能够有效地提高金刚石单晶生长质量，解决一次生长不了太厚的问题。 |
