一种高功率的微波等离子体金刚石膜化学气相沉积装置
基本信息
申请号 | CN201210067224.5 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN103305816B | 公开(公告)日 | 2015-07-15 |
申请公布号 | CN103305816B | 申请公布日 | 2015-07-15 |
分类号 | C23C16/511(2006.01)I;C23C16/27(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
发明人 | 唐伟忠;苏静杰;李义锋;于盛旺;黑鸿君;刘艳青 | 申请(专利权)人 | 河北普莱斯曼金刚石科技有限公司 |
代理机构 | 北京金智普华知识产权代理有限公司 | 代理人 | 北京科技大学;河北普莱斯曼金刚石科技有限公司 |
地址 | 100083 北京市海淀区学院路30号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 一种高功率的微波等离子体金刚石膜化学气相沉积装置,属于金刚石膜制备技术领域。该装置包含由谐振腔上圆柱体、下圆柱体、沉积金刚石膜的沉积台以及半椭球形微波反射体所组成的谐振腔主体。半椭球形微波反射体与谐振腔上圆柱体之间在外形上平滑过渡,这保证了进入谐振腔的微波不会受到散射。与此同时,半椭球形微波反射体使谐振腔拥有很强的微波电场聚焦能力,它有助于将微波能量聚集到沉积台上方,从而形成一个很强的电场区域和形成高密度的等离子体。通过对半椭球形微波反射体位置的调节,可以对装置的谐振腔进行调节,实时地优化装置中微波电场与等离子体的分布。同时,装置中的石英微波窗口位于金刚石膜沉积台的下方,而装置的其他各主要部分距离等离子体也较远和能被较好地直接水冷。 |
