TM021模式的高功率微波等离子体金刚石膜沉积装置
基本信息
| 申请号 | CN201310687614.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103695865B | 公开（公告）日 | 2016-06-08 |
| 申请公布号 | CN103695865B | 申请公布日 | 2016-06-08 |
| 分类号 | C23C16/27(2006.01)I;C23C16/517(2006.01)I;C23C16/511(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 唐伟忠;李义锋;苏静杰;刘艳青;丁明辉;李小龙;姚鹏丽 | 申请（专利权）人 | 河北普莱斯曼金刚石科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京金智普华知识产权代理有限公司 | 代理人 | 皋吉甫 |
| 地址 | 050000 河北省石家庄市友谊南大街46号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明TM021模式的高功率微波等离子体金刚石膜沉积装置，该装置由上下圆柱体、可调节的上腔体和微波反射板、沉积台、微波同轴激励口，微波石英窗口，进出气口，测温孔和观察窗等组成。此装置拥有TM021模式的电场分布，具有微波谐振腔内电场分布集中，激发等离子体位置稳定的特点。该装置可通过其调节机构实时地优化装置中等离子体的分布。置于沉积台下方的环状微波石英窗口可避免被等离子体过度加热、污染和刻蚀。谐振腔内壁距离高温等离子体区较远，减弱了对腔室内壁的热辐射和避免沉积异物。装置各主要部件可直接水冷。上述优点使得此装置可被应用于较高功率的微波输入，实现大面积高品质金刚石膜的高效沉积。 |
