一种改善MOSFET雪崩特性的方法及其器件
基本信息
| 申请号 | CN202110949926.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113707545A | 公开（公告）日 | 2021-11-26 |
| 申请公布号 | CN113707545A | 申请公布日 | 2021-11-26 |
| 分类号 | H01L21/266（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 何昌 | 申请（专利权）人 | 深圳市美浦森半导体有限公司 |
| 代理机构 | 东莞市卓易专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王再兴 |
| 地址 | 518000广东省深圳市南山区招商街道水湾社区太子路22号金融中心大厦1601 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种改善MOSFET雪崩特性的方法及其器件，该方法提供一半导体衬底，半导体衬底上设有外延片，在所述外延片上生长一层栅极氧化层；在所述栅极氧化层上淀积一层多晶硅层,在多晶硅层的表面涂光刻胶，采用刻蚀机进行刻蚀，形成第一沟槽；定义P型体区，将多晶硅层增加一层光罩；采用离子注入工艺在所述P型体区内注入P型离子后退火；通过定义P型体区，增加一层光罩，从而可以在增加P型体区注入掺杂浓度情况下，有利于降低寄生BJT基区的电阻；减小P型体区电阻，但不影响沟道浓度，因此可以极大的提高器件雪崩特性的同时，使得器件其它特性保持不变，工艺简单、成本低。 |
