一种碳化硅二极管场限环终端结构专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种碳化硅二极管场限环终端结构

基本信息

申请号	CN202023208121.5	申请日	-
公开（公告）号	CN213816163U	公开（公告）日	2021-07-27
申请公布号	CN213816163U	申请公布日	2021-07-27
分类号	H01L29/861（2006.01）;H01L29/06（2006.01）;H01L29/16（2006.01）	分类	基本电气元件;
发明人	杨勇;张光亚;朱勇华;付国振	申请（专利权）人	深圳市美浦森半导体有限公司
代理机构	中山市科企联知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	杨立铭
地址	518000 广东省深圳市南山区招商街道水湾社区太子路22号金融中心大厦1601
法律状态	-

摘要

本实用新型提供的一种碳化硅二极管场限环终端结构，包括：碳化硅N型半导体衬底，在N型外延层靠顶部设置JTE主结区，在所述JTE主结区的附近设置四个附加的外侧P‑环，JTE主结区和外侧P‑环的结深为0.5‑1微米，JTE主结区的宽度为20‑30微米，所述外侧P‑环的环间距为2‑3微米，环宽为4‑8微米，所述JTE主结区的顶部部分覆盖设置正面金属，所述正面金属的另一部分设置在所述的N型外延层的顶部，所述碳化硅N型半导体衬底的底部设置背面金属。通过设置JTE主结区和外侧P‑环，当JTE主结区区域被耗尽时，外侧附加的四个外侧P‑环也会被包围进入N型漂移区的耗尽区，P‑环内部被部分耗尽，JTE主结区的利用率变高，有效提高终端效率并获得较高的电压，而且掺杂浓度可控。